F-200A型半导体器件通用测试机

2022-07-16 08:31 221.8.26.168 2次
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长春艾克思科技有限责任公司商铺
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长春艾克思科技有限责任公司
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91220104697777839H
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关键词
半导体器件,测试机
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长春市朝阳区人民大街A座7655号航空国际A座403-1室
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产品详细介绍

一、 概述

  F-200A半导体器件通用测试机是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计,正向电流分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~200A四个档位,测量范围更广。

0.01~0.1A:小电流硅堆、(高压二极管:定制60V)、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试;

0.1~10A:中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻;

10~200A:大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试

二、技术参数

1.   正向脉冲电流调节范围:0.01A~200A,四个档位,每个档位步进为档位满量程的0.01%(10-200A为10mA步进)

2.    脉冲宽度:300us-600us 固定值

3.    开路输出电压:≥65V

4.    正向压降测量范围:10mA-10A:60V;10A-200A:20V

5.    正向压降测量电流电压的分辨率:

测量范围

测试电流

分辨率

测试电压

压降

10~100mA

0.01mA

1mV

60V

100~1000mA

0.1mA

1~10A

1mA

10~200A

10mA

20V

6.    供电电压:AC220V±10%,50Hz

7.    消耗功率:≤100W

8.    工作温度:25℃±10℃

9.    串口RS485通信接口

10. 配电脑软件,输出特性曲线、导出图像和excel数据点

11. 测试仪器可脱机独立运行

12.选配栅极测量选件,可测量栅极端口电容、栅极正反向漏电、测量IG/VGE、IC(ID)/VGE;选配极性自动切换选件,可自动切换电压电流正负极性;选配耐压测试盒选件,可测试高5kV的器件耐压。有关选件具体信息,请咨询销售经理。

三、产品简介

  测试仪器的前面板包括LED显示屏,功能按键,设定旋钮,电源开关,二极管正极负极接线端子等。

1.正面—功能介绍.png



  测试器件正向压降的时候,通过前面板的四线夹子,红色线夹和二极管的正极连接,黑色线夹和二极管的负极连接。触发开关为不带锁的复位按键,档按钮按下时,测试仪器输出一个设置的0.01~200A的电流脉冲,电流调节旋钮顺时针调节为增大电流,逆时针为减小电流,旋转一格,电流步进。步进值的变动范围与光标档位设定有关。

功能显示/设定1显示:当功能选择按键(FUNC)亮时,此显示屏显示内容为正在测试项目的名称。

显示名称

描述

含义

VF IFD

二端器件正向压降测试

给器件设定If(SET2)的电流值,读出压降并显示在测量结果上

RDS ON

二端器件内阻测试

MOS管RdsON测试

同上,读出值为R=U/I;当回读电压值过大或者过小时,将导致测量精度下降,测量结果分别显示为HI/LO,请根据情况使用合适的测试电流。

GATE CAP

测量GATE口的电容

同左。测量范围100pF-1μF

IG VGE

GATE口漏电测试

用于测量MOS/IGBT或其他器件的栅极漏电,通过GATE口对器件的G与S(E)间施加可调的电压(0-20V),读取器件栅极的漏电。测量范围:±9999.9nA

VGE-VCE

(由于显示器件限制,此项目仅显示三组可变数字,按下SET1按键即可显示VGESET ICESET VCEACQ表示三组数字含义)

测试IGBT/MOSFET的Vce(Vds)压降

此时该屏显示的为VGE的设定值

用于测量IGBT/MOS在给定栅压与集电极(漏极)电流下,器件的管压降。在此页面设置好VGE后再按FUNC切换至RdsON时可测量该器件的导通电阻Rdson。

IR VR(需要安装高压选件)

测量二端口器件的反向漏电

同左 电压范围为0-5kV,

漏电电流测量范围为0-100Μa

按下FUNC按键时,该显示屏显示的内容将按上表轮换显示。当所需的选件没有安装时,对应功能将跳过显示。

功能显示/设定1显示:当菜单按键(MENU)亮时,此显示屏显示内容为设置菜单项。

RS485

485通讯端口协议选择

使用设定旋钮选择

为适配/兼容多种上位机软件协议,该选项可能有多个可选值,可选值的数量随不同机器而不同。

BAUD

485端口波特率设定

该选项与RS485通讯口协议选项有关。部分选项无此功能。

ISCALE

上位机设定电流比例调节

可选范围为10k:1 – 1:1

左侧数值为上位机设定值(A)

右侧为机器的实际输出(A)

BRIGHT

显示屏亮度设定

 

设定显示屏亮度,范围0-7

IP(需要安装以太网选件)

设置以太网接口的固定IP地址,使用设定旋钮/光标切换

如DHCP功能打开时,此菜单项显示DHCP获取到的ip地址


DEST(需要安装以太网选件)

显示远端正在连接的设备ip地址


DHCP(需要安装以太网选件)

使用设定旋钮选择0(固定ip)与1(DHCP获取ip)


PORT(需要安装以太网选件)

设定机器提供通讯的端口号

使用设定旋钮/光标切换修改


OPT

机器已安装选件

部分机器固件无此选项

CALPWD

校准密码输入

正向电压回读校准密码:

123456

正向电流设定校准密码:

654321

输入密码后按触发按键,

结果将显示

Vfcal(电压校准确认)

IFcal(电流校准确认)

PWDERR(密码错误)

VFCAL0-VFCAL9

当CALPWD的密码输入123456时,按MENU键进入此菜单。此时VFCAL*下光标点亮,使用设定旋钮选择VFCAL项。通过SET1/SET2按键选择修改修正项或是修正值,具体用法见电压校准章节。


IFST00-IFST39

IFCA00-IFCA39

当CALPWD的密码输入654321时,按MENU键进入此菜单。此时IFST**下光标点亮,使用设定旋钮选择IFST/IFCA项。通过SET1/SET2按键选择修改修正项或是修正值,具体用法见电流校准章节。


FWUPD

固件升级,通过RS-485口实现免拆功能升级操作。


*由于本机新功能仍处于开发阶段,新版固件将可能提供更多功能。有关详细信息,请咨询销售人员

按下MENU按键时,该显示屏显示的内容将在设置菜单项间轮换。

设定2显示屏:

功能设定显示名称

设定2显示屏的内容

设定电流值

通过光标切换按键 切换步进

通过量程切换按键 换挡

通过正负切换按键 切换极性

(需要正负切换选件)

给器件设定If(SET2)的电流值

RDSON

同上

CAP

设定VGE电压值

用于测量MOS/IGBT器件的栅极漏电,对器件的G与S(E)间施加可调的电压

VGE VCE

设定器件正向脉冲电流ICE

同左


漏电电流测量范围为0-100μA

结果显示屏:

结果显示屏内容

测试的器件正向压降

当压降大于20V时将显示OL


测试器件的正向内阻

当电流值不合适时,将导致采集的正向压降过小或过大,精度降低,此时将显示LO 或 HI


电容值

GATE口检测到的电容值

超范围的电容值将显示------

根据测得的容量大小自动切换档位

栅极漏电流大小,即为GATE接口中芯电流大小


当压降大于60V显示OL


测试的器件反向漏电

当漏电大于100μA时将显示OL



2.背面—功能介绍.png 

脚踏开关和正面板上的触发开关并联,二者功能一致;

LAN口为保留的以太网测试接口,留作升级使用。

RS-485为计算机通讯口

外置选件接口用于连接外置使用的选件(例如高压漏电测试选件)

220V供电口接入电源。


四 测试示例:

1.  测量二极管在规定正向电流IF的正向压降VF连接方法:


1375173029.jpg


使用随机的开尔文测试夹正向连接二极管,若当前功能不是VF IFD功能 按下FUNC按键直到SET1显示 VF IFD。

使用RANGE切换电流档位,使用左右按键切换调节步进值,使用黑色大旋钮设定需要设定的正向电流IF值。设定好需要的值后,按下TRIG金属按键,读取RESULT上的结果。注意若使用10-200A档位测出的电压若大于20V将不可信。

  2. 测量IGBT内反向二极管/NMOSFET寄生二极管在给定的正向电流IF下的压降VFd:连接方法:

1386522204.jpg




  操作方式与1.测试二极管IF的测量方式完全一致。并使用一条电线将待测器件的GE(GS)短路。

  注意,对于P沟道MOSFET,应互换红色/黑色开尔文夹。


3.测量MOSFET的RDSON  连接方式:

1529865166.jpg




五 校准方法:

0.校准操作不建议用户操作。若有需求,请与厂家联系。

1.按MENU ,选至CALPWD选项,使用旋钮与光标设置密码为123456,再按MENU,此时SET1显示VFCAL0

2.按面板set2 切换至vfcal0的参数值 设置为10左右;

3.按面板set1 光标切换回vfcal0 使用旋钮切换至vfcal1,

重复第二步,将vfcal1的值设定为约20800;

4.OUTPUT的中间红黑两个端子用线短路,切换校准点至vfcal0,修改set2的值,令result的电压值为0.0V

5.切换至vfcal1,去掉短路线,并将短路线短路的红黑端子输入2.000V的准确电压,或者的2V附近的电压即可,调节vfcal1的值,令result的值与实际输入的电压一致。

6.其他点参考第5项进行校准,推荐每2V进行校准。VFCAL0-VFCAL9的校准电压必须单调增大,不可忽大忽小,否则将导致校准错误。

7.若校正时发现无法校准,或校准值间偏差过大,则可能是设备故障,需要返厂送修。

电流设定校准方法:

注意,电流校准应在电压校准后进行。

电流校准方法与电压相似,需要准备100欧姆、1欧姆、0.047欧姆的精密电阻,阻值类似也可,需要保证足够的精度。

1.按MENU ,选至CALPWD选项,使用旋钮与光标设置密码为654321,再按MENU,此时SET1显示IFST00

2.按面板set2 切换至ifst00的参数值 设置为0.01A;

3.按面板set1 光标切换回ifst00 使用旋钮切换至ifca00,

用四线测试夹子接入100欧电阻,按触发按键,调节ifca00的值(约55000),使得结果显示的电压为ifst00的电流值乘外接电阻。

4.其余点同上,ifstxx为要校正的点的电流设定值,ifcaxx为该点的校正参数。共40个校准点,每个档位10个校准点。

例如ifst00 – ifst09 分配给0.01A-0.1A档位,ifst10-ifst19分配给0.1A-1A档位。

5.推荐均分电流点进行校准,校准电流必须单调增大,不可忽大忽小,否则将导致校准错误。

六 电脑连机测试步骤

① 连接测试仪器后面板上的DB9和USB转RS485转接线;

② USB转RS485转接线和电脑连接;

③ 使用四线测试夹红色连接二极管阳极,黑色连接二极管阴极;

④ 打开电源开关;

⑤ 打开电脑程序;

⑥ 程序操作读取曲线;

⑦ 由于软件版本较早,暂只支持器件的电流-压降测试曲线。

七 软件操作步骤:

① 例:测量二极管正向压降曲线,电流0-10A;

② 打开电脑程序图标 “二极管正向压降测试仪”;

③ 选择串口号,通过硬件管理,可以串口号;

④ 点击图标按钮打开串口;

⑤设置采样速率,0.1Hz~10Hz;低频测试器件温升小,高频测量速度快,可根据需要选择;注意,当测量电流大于10A时,脉冲频率不可高于3Hz,否则结果不可信。

⑥ 脉冲宽度任意选择

⑦输入起始电流0A;终止电流为1000A;扫描点数为1~1000点(由于该软件早于仪器开发,其设定电流范围为0-3000A,且测量点数不能高于起始电流差值)。

⑧打开测试仪电源开关,按MENU键选择至ISCALE项目,选择该项目的值为100:1,即上位机设定1000A将除以100,实际测试流为0-10A;

上位机.png

1419894031.jpg

 9数据处理,在曲线绘图区域,通过鼠标右键,可以导出bmp格式的图片和excel格式的数据,如图4所示。

八 注意事项

1、本测试仪请勿在测试仪上试图连接电池电源类器件,有可能损坏内部器件。

2、应保证本测试仪工作在规定的供电电压和温度条件下,保证测量准确度。

3、本仪器内有高压,非人员请勿擅自开启外壳,当心触电。仪器大输出电压大于60V,谨防触电。

4、本仪器连接时务必按照示例图连接。GATE红线切勿与开尔文夹子线的红线碰触,否则可能烧毁仪器。

九 固件升级

本测试仪支持不拆机升级内部程序软件。操作方式为开机后按MENU键选择至 FWUPD模式,按下TRIG按键后进入固件升级模式。

也可以开机前按下RANGE 与 左键再开机,本机将进入固件升级模式,使用支持xmodem协议的串口终端软件上传固件即可。有关详细信息请咨询厂家。

数据处理,在曲线绘图区域,通过鼠标右键,可以导出bmp格式的图片和excel格式的数据,如图4所示。

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成立日期2010年03月30日
法定代表人刘海艳
注册资本50
主营产品调Q模块电源、测试仪器、高压电源、高压开关、半导体激光器电源、光源、TEC驱动器、材料蒸发源温度控制电源、放大器、电离电源、质谱仪电源、隔离电源、光电探测器、恒流源、时间测量模块、氙灯卤素灯电源、信号
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公司简介长春艾克思科技有限责任公司(changchunaikstechnologyco.,ltd.)坐落在长春理工大学(原长春光学精密机械学院)内,光机电新型人才力量雄厚,拥有在激光器领域享有盛誉的专家和大批从事光电器件研究工作的专业人员,依托国防科研,电子设备的研发和生产外部配套环境适宜,是一家集电源及相关电子仪器研发、生产、销售于一体的高科技企业。企业经过多年的打造,拥有一批专业、敬业的科技人员,并建 ...
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